- Chip Samsung V-NAND.
- Chuẩn giao tiếp PCIe Gen 3.0x4, NVMe 1.2 (partial)
- DRAM cache memory :
+ 512MB LP DDR3 cho 512GB
- Bảo mật dữ liệu :
+ AES 256-bit Full Disk Encryption (FDE).
+ TCG/Opal V2.0, Encrypted Drive (IEEE1667).
- Tốc độ đọc: 3500 MB/s
- Tốc độ ghi: 2100 MB/s